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读写5.0G/s PCIe 4.0还有啥能耐?

发布时间:2021-04-28 14:10:20 所属栏目:外闻 来源:互联网
导读:TLC闪存每个存储器单元存储3位信息,相比于前者更适合消费级使用,而QLC闪存则是每个存储器单元能够存储4位信息以存储更多的信息,所以我们可以看到目前采用QLC闪存的SSD容量基本都是TB起步,三星的860 QVO最高甚至可以达到4TB的容量。 除了三星以外,美光在


TLC闪存每个存储器单元存储3位信息,相比于前者更适合消费级使用,而QLC闪存则是每个存储器单元能够存储4位信息以存储更多的信息,所以我们可以看到目前采用QLC闪存的SSD容量基本都是TB起步,三星的860 QVO最高甚至可以达到4TB的容量。

除了三星以外,美光在QLC闪存方面也是动作频频,美光是最早大规模量产3D QLC闪存的厂商之一。

根据其发布的财报数据来看,美光上季度用于固态硬盘的3D QLC闪存出货量环比增长了75%,足以可见QLC闪存的市场竞争力,毕竟它的价格优势是TLC和MLC闪存所无法比拟的。

SK海力士在今年6月推出了业内首款128层TLC 4D NAND Flash,并宣称已经开始批量生产,容量为1Tb,目前闪存制造厂商主要是集中提高96层3D NAND。

而SK 海力士推出的128层4D NAND是目前业界最高的垂直堆叠高度,具有超过3600亿个NAND单元,在96层NAND的基础上堆叠多达32层实现128层堆叠。

它最大优势是小芯片尺寸,使其能够实现1Tb超高密度的NAND Flash。

同时在1.2V时实现了1400Mbps的数据传输速率,可以为终端市场提供高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD解决方案,预计将在2020年面世。

SK海力士全球销售与营销负责人Jong Hoon Oh表示 “SK海力士通过128层4D NAND确保了其NAND业务的竞争力,凭借该产品在业界的最高堆叠和容量密度,我们将在合适的时间为客户提供各种解决方案。”

QLC寿命和性能已无需担心

在2D NAND闪存时代,闪存制造厂商为了追求NAND容量的提升,需要不断提升NAND制程工艺,但在3D NAND时代,提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了,而是靠堆栈的层数。

我们以TLC闪存为例,其问世于2D NAND闪存时代,遭遇了诸多寿命、性能上的考验,最初发布的TLC闪存P/E寿命只有100-150次。

但是随着NAND技术的进步、纠错技术的改良,P/E寿命不断提升,逐渐被市场所接受并且发展成为主流,在3D NAND时代的QLC闪存在可靠性上跟2D NAND时代的TLC、QLC完全不同,P/E寿命已经不再是我们需要担心的问题。

目前主流的QLC闪存已经能够实现1000PE的寿命,这已经与TLC闪存SSD没有差距,并且目前三星、美光、英特尔等厂商的量产QLC闪存,均提供了3到五年的质保,所以不用对它的寿命存在担心。

TLC闪存每个存储器单元存储3位信息,相比于前者更适合消费级使用,而QLC闪存则是每个存储器单元能够存储4位信息以存储更多的信息,所以我们可以看到目前采用QLC闪存的SSD容量基本都是TB起步,三星的860 QVO最高甚至可以达到4TB的容量。

除了三星以外,美光在QLC闪存方面也是动作频频,美光是最早大规模量产3D QLC闪存的厂商之一。

根据其发布的财报数据来看,美光上季度用于固态硬盘的3D QLC闪存出货量环比增长了75%,足以可见QLC闪存的市场竞争力,毕竟它的价格优势是TLC和MLC闪存所无法比拟的。

SK海力士在今年6月推出了业内首款128层TLC 4D NAND Flash,并宣称已经开始批量生产,容量为1Tb,目前闪存制造厂商主要是集中提高96层3D NAND。

而SK 海力士推出的128层4D NAND是目前业界最高的垂直堆叠高度,具有超过3600亿个NAND单元,在96层NAND的基础上堆叠多达32层实现128层堆叠。

它最大优势是小芯片尺寸,使其能够实现1Tb超高密度的NAND Flash。

同时在1.2V时实现了1400Mbps的数据传输速率,可以为终端市场提供高性能和低功耗的移动解决方案和企业级SSD解决方案,预计将在2020年面世。

SK海力士全球销售与营销负责人Jong Hoon Oh表示 “SK海力士通过128层4D NAND确保了其NAND业务的竞争力,凭借该产品在业界的最高堆叠和容量密度,我们将在合适的时间为客户提供各种解决方案。”

QLC寿命和性能已无需担心

在2D NAND闪存时代,闪存制造厂商为了追求NAND容量的提升,需要不断提升NAND制程工艺,但在3D NAND时代,提升NAND容量靠的不是微缩制程工艺了,而是靠堆栈的层数。

我们以TLC闪存为例,其问世于2D NAND闪存时代,遭遇了诸多寿命、性能上的考验,最初发布的TLC闪存P/E寿命只有100-150次。

但是随着NAND技术的进步、纠错技术的改良,P/E寿命不断提升,逐渐被市场所接受并且发展成为主流,在3D NAND时代的QLC闪存在可靠性上跟2D NAND时代的TLC、QLC完全不同,P/E寿命已经不再是我们需要担心的问题。

目前主流的QLC闪存已经能够实现1000PE的寿命,这已经与TLC闪存SSD没有差距,并且目前三星、美光、英特尔等厂商的量产QLC闪存,均提供了3到五年的质保,所以不用对它的寿命存在担心。

(编辑:常州站长网)

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