加入收藏 | 设为首页 | 会员中心 | 我要投稿 常州站长网 (https://www.0519zz.com/)- 科技、建站、经验、云计算、5G、大数据,站长网!
当前位置: 首页 > 站长资讯 > 外闻 > 正文

Vishay推出业界首款符合AEC-Q101要求的PowerPAK SO-8L非对称双芯片封装60 V MOSFET

发布时间:2020-12-16 23:08:22 所属栏目:外闻 来源:网络整理
导读:宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月15日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix

宾夕法尼亚、MALVERN — 2020年12月15日 —日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出了一款符合AEC-Q101要求的N通道60 V MOSFET--- SQJ264EP,这是采用PowerPAK SO-8L非对称双芯片封装的业界首款此类器件。新的Vishay Siliconix SQJ264EP旨在满足汽车行业节省空间以及提高DC/DC开关模式电源效率的需求。这个新器件在一个5mm x 6mm的紧凑型封装中集成了一个高边和一个低边MOSFET,低边MOSFET的最大导通电阻低至8.6 m。

20201215_SQJ264EP.jpg

与单个MOSFET解决方案相比,通过将两个TrenchFET MOSFET封装在一个非对称封装中,今天发布的这款汽车级器件减少了元件数量和电路板空间需求,同时提高了功率密度。此外,其控制(高边)和同步(低边)MOSFET在裸片尺寸上的优化组合,可在占空比低于50%的功率转换中提供高于对称双器件的效率。

SQJ264EP的通道1 MOSFET在10 V时最大导通电阻为20 m,典型栅极电荷为9.2 nC,而通道2 MOSFET在10 V时的导通电阻为8.6 m,典型栅极电荷为19.2 nC。由于没有内部连接的开关节点,SQJ264EP为设计人员提供了将晶体管配置为不同拓扑的灵活性,包括同步降压或同步升压DC/DC转换器。

由于可在超过+175℃的高温环境下工作,双MOSFET能够提供信息娱乐系统、显示器、LED照明以及电动自行车等汽车应用所需的耐用性和可靠性。此外,与QFN单封装和双封装相比,SQJ264EP的鸥翼引线允许在其引脚下方实现更好的焊料流,增强自动光学检查(AOI)能力以及更高的板级可靠性。

这些MOSFET 100%通过了Rg和UIS测试,符合RoHS要求,不含卤素。

SQJ264EP的样品和批量产品现已开始提供,大宗订单的交货期为12周。

VISHAY简介

Vishay 是全球最大的分立半导体和无源电子元件系列产品制造商之一,这些产品对于汽车、工业、计算、消费、通信、国防、航空航天和医疗市场的创新设计至关重要。服务于全球客户,Vishay承载着科技基因——The DNA of tech。Vishay Intertechnology, Inc. 是在纽约证券交易所上市(VSH)的“财富1,000 强企业”。有关Vishay的详细信息,敬请浏览网站 www.vishay.com。

TrenchFET 和 PowerPAK是 Siliconix incorporated的注册商标。

新闻联系人:

VISHAY

邱鸣(Laura Qiu)

地址:上海市淮海西路 55 号 申通信息广场 15 楼 D 座

电话:(8621)22315597

传真:(8621)22315551

Email:laura.qiu@vishay.com

仁治时代(北京)信息咨询有限公司

乔治(George Qiao)

地址:北京市朝阳区景华南街1号旺座中心西塔1609室

电话:(8610)85951439 / 85959439

Email:george.qiao@geomatrixpr.com

(编辑:常州站长网)

【声明】本站内容均来自网络,其相关言论仅代表作者个人观点,不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利,请及时与联系站长删除相关内容!

    热点阅读